El S8050 NPN, capaz de disipar 1W, soporta 1,5A, Vceo 25Vdc, hFE de 40-300 y 100MHz. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines).
El S8050 NPN, capaz de disipar 1W, soporta 1,5A, Vceo 25Vdc, hFE de 40-300 y 100MHz. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines).
Política de seguridad
Política de envío
Política de devolución
El S8050 es un dispositivo semiconductor, un transistor bipolar de unión NPN. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 1W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1,5A o que requieran tensiones de hasta 25Vdc, siempre y cuando no se sobre pase su potencia de disipación máxima. Su unión es NPN, con un factor de amplificación (Hfe) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 40 y los 300.
Categoría del producto: Transistor bipolar, BJT.
Polaridad del transistor: NPN.
Voltaje Colector-Base (Vcbo): 40Vdc.
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 25Vdc.
Voltaje Emisor-Base (Vebo): 6Vdc.
Corriente máx colector (Ic): 1,5A.
Potencia disipada (Ptot): 1W.
Factor ampliación (hFE): 40 - 300.
Frecuencia máx de trabajo (fT): 100Mhz.
Temperatura de operacion: -65ºC - 150°C.
Ficha técnica
No hay ninguna opinión por el momento.
