El 2N3906 PNP, capaz de disipar 625mW, soporta 200mA, Vceo 40Vdc, hFE de 30-300 y 250MHz. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines).
El 2N3906 PNP, capaz de disipar 625mW, soporta 200mA, Vceo 40Vdc, hFE de 30-300 y 250MHz. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines).
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El 2N3906 es un dispositivo semiconductor, un transistor bipolar de unión PNP. Se presenta en un encapsulado TO-92 con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se sobre pase su potencia de disipación máxima. Su unión es PNP, con un factor de amplificación (Hfe) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 30 y los 300.
Categoría del producto: Transistor bipolar, BJT.
Polaridad del transistor: PNP.
Voltaje Colector-Base (Vcbo): -40Vdc.
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): -40Vdc.
Voltaje Emisor-Base (Vebo): -5Vdc.
Corriente máx colector (Ic): 200mA.
Potencia disipada (Ptot): 625mW.
Factor ampliación (hFE): 30 - 300.
Frecuencia máx de trabajo (fT): 250Mhz.
Temperatura de operacion: -55ºC - +150°C.
Ficha técnica
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