El MJE13005 NPN, capaz de disipar 75W, soporta 4A, Vceo 400Vdc, hFE de 8-60 y 4MHz. Se presenta en un encapsulado TO-220 con tres terminales (pines).
El MJE13005 NPN, capaz de disipar 75W, soporta 4A, Vceo 400Vdc, hFE de 8-60 y 4MHz. Se presenta en un encapsulado TO-220 con tres terminales (pines).
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El MJE13005 es un dispositivo semiconductor, un transistor bipolar de unión NPN. Se presenta en un encapsulado TO-220 con tres terminales (pines). Este transistor es de alta potencia, capaz de disipar hasta 75W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 4A o que requieran tensiones de hasta 400Vdc, siempre y cuando no se sobre pase su potencia de disipación máxima. Su unión es NPN, con un factor de amplificación (Hfe) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 8 y los 60.
Categoría del producto: Transistor bipolar, BJT.
Polaridad del transistor: NPN.
Voltaje Colector-Base (Vcbo): 700Vdc.
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400Vdc.
Voltaje Emisor-Base (Vebo): 9Vdc.
Corriente máx colector (Ic): 4A.
Potencia disipada (Ptot): 75W.
Factor ampliación (hFE): 8 - 60.
Frecuencia máx de trabajo (fT): 4Mhz.
Temperatura de operacion: -55ºC - 150°C.
Ficha técnica
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