Transistor de potencia MOSFET IRF540NPBF de canal N, capaz de manejar intensidades de 33A y voltajes de 100V.
Transistor de potencia MOSFET IRF540NPBF de canal N, capaz de manejar intensidades de 33A y voltajes de 100V.
Política de seguridad
Política de envío
Política de devolución
Transistor de potencia MOSFET IRF540NPBF de canal N, capaz de manejar intensidades de 33A y voltajes de 100V. Es un MOSFET de potencia que nos permitirá manejar cargas elevadas al mismo tiempo que nos permite una conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
Categoría del producto: MOSFET.
Polaridad del transistor: N-Channel.
Modelo: IRF540NPbF.
Fabricante: Infineon Technologies.
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2v a 4v.
Gate-to-Source Voltage (Vgs): ±20v.
Continuous Drain Current, VGS @ 10V 25º(Id): 33A.
Drain-to-Source Breakdown Voltage (Vdss): 100v.
Power Dissipation 25º (Pd): 130w.
Temperatura operativa: -55ºC a +175ºC.
Ficha técnica
No hay ninguna opinión por el momento.
